功率场效应晶体管的详解
功率场效应晶体管（Power MOSFET）是利用半导体材料的场效应原理制成的器件，它通过施加在半导体表面的外电场来控制或改变半导体导电特性。 功率MOSFET的元件符号如图1所示，其中G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。除了功率MOSFET，还有MISFET、MESFET、JFET等几种场效应晶体管。
功率场效应晶体管是一种利用半导体场效应原理制造的功率晶体管，其元件符号如图1所示，G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。
概述 功率MOSFET是从70年代的初级场效应晶体管发展而来，采用与VLSI电路类似的半导体加工工艺，但几何结构、电压和电流电平与VLSI设备设计有极大不同。功率MOSFET在大于等于1A电流切换应用中具有优势，相较于双极结型晶体管，具有更低的基极驱动电流需求，更易驱动。
半导体的场效应指通过垂直于半导体表面的外加电场，可以控制或改变靠近表面附近薄层内半导体的导电特性。功率场效应晶体管元件符号如图1所示。图1中G、D、S分别代表其栅极、漏极和源极。
概述 MOSFET，全称金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种以金属层的栅极隔着氧化层，利用电场效应控制半导体的场效应晶体管。功率场效应晶体管主要分为结型和绝缘栅型，其中绝缘栅型中的MOS型，简称功率MOSFET，是电力电子装置中的重要器件。
电力晶体管电力晶体管的主要参数
其次，集电极最大允许电流（ICM）指电力晶体管在工作时能承受的最大电流值，此参数决定了电力晶体管的功率输出能力。集电极最大允许耗散功率（PCM）则是指电力晶体管在工作时能承受的最大功率消耗值，确保电力晶体管在高效工作的同时不会过热损坏。
电力场效应管，即电力MOSFET，拥有多种关键参数，它们在决定器件性能和应用范围上起着至关重要的作用。除跨导Gfs、开启电压UT、td(on)、tr、td(off)和tf之外，还有几个核心参数需重点关注。首先，漏极电压UDS（漏极电压定额）是电力MOSFET电压能力的指标。
(2)安全工作区以直电力晶体管流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的工作区为一次击穿工作区，以USB(二次击穿电压)与ISB(二次击穿电流)组成的PSB(二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了防止二次击穿，要选用足够大功率的GTR，实际使用的最高电压通常比GTR的极限电压低很多。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。特征频率fT是指晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降，当β值降为1时晶体管的工作频率。最高振荡频率fM是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
电力晶体管是什么的控制型器件
1、电力晶体管是一种压控型的控制器件，广泛应用于电力电子领域。它主要分为GTR和BJT两种名称，实际上是等效的，结构和工作原理与小功率晶体管相似。电力晶体管由三层半导体构成，其中包括两个PN结，拥有PNP和NPN两种类型，其中NPN结构较为常见。在电力电子技术中，电力晶体管主要工作于开关状态。
2、- 电力晶体管（GTR）：GTR同样属于电流控制型器件。- 电力场效应晶体管（FET）：通常指的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），为了与普通MOSFET区分，电力MOSFET（Power MOSFET）被专门用来指代电力应用中的MOSFET，它是一种电压控制型器件。- 绝缘栅双极晶体管（IGBT）：IGBT是一种电压控制型器件。
3、第一类是根据器件能否被控制信号控制来划分： 半控型器件，例如晶闸管； 全控型器件，例如门极可关断晶闸管、GTR（电力晶体管）、MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 不可控器件，例如电力二极管。
4、电力MOS场效应管通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。
