单限比较器阈值电压怎么求
运放就两个输入端，反相端接地，则电位为0，那么只有同相作输入端。当Up＞Un时，运放输出+Uom，当Up＜Un时，运放输出-Uom，那么，Un为0，所以为过0比较器，阀值电压就为0V。希望我的回答能帮助到你。
在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT（ci）=0.356V；ID=1uA时，VGS=0.467V。在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。
阈值电压：我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压的值。它还被称为门限电压。简称为：阈值。用符号UTH表示。
影响mosfet阈值电压的因素
其中cmos管的阈值电压跟栅氧化层厚度TOX、衬底费米势、耗尽区电离杂质电荷面密度、栅氧化层中的电荷面密度Qox有关。
原则上与一般MOSFET的阈值电压一样，主要是受到氧化层厚度、衬底掺杂浓度和氧化层中以及界面上电荷的影响；不过，VDMOSFET的衬底掺杂浓度基本上就是扩散的表面浓度，因此需要注意控制好。
所以其作用和界面电荷的作用一致，只是受主陷阱电离后是负电荷，施主陷阱电离后留下的是正电荷，对阈值电压的影响正好相反。正电荷的影响参见非理情况下MOSFET的阈值电压表达式，此处不再赘述。
跨导外推法测阈值电压
MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压)：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。
阈值电压的计算公式
1、在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT（ci）=0.356V；ID=1uA时，VGS=0.467V。在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。
2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
3、VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解释如下：漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和 L）以及施加在栅极和源极之间的电压（VGS）。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
3、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
4、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
什么是双脉冲测试？
双脉冲测试的必要性在现在的行业中是显而易见的，其决定了对应的IGBT是否会被选用，也是使用者在选型之前的一道筛选手段。
动态特性评估：双脉冲测试是一种用于评估功率半导体器件动态特性（如开关速度、反向恢复等）重要手段。
在一些测试和测量应用中，使用双脉冲而不是单脉冲的原因可能是为了获得更准确和可靠的测量结果。以下是一些可能的原因：时钟同步问题：使用双脉冲可以提供更好的时钟同步，减少测试时序的不确定性。
双脉冲是一个脉冲周期内有两个脉冲，四脉冲是一个周期内有四个脉冲，原理如下图，可以通过两个方波的逻辑“与”实现。
td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
